Low Temperature Poly-Silicon Technologie LTPS (Low Temperature Poly-Silicon) gouf ursprénglech vu japaneschen an nordamerikaneschen Technologiefirmen entwéckelt fir den Energieverbrauch vum Note-PC Display ze reduzéieren an Note-PC méi dënn a méi hell ze maachen. An der Mëtt vun den 1990er huet dës Technologie ugefaang an d'Proufphase gesat ze ginn. Konsum, kënne méi wonnerschéin Faarwen a méi kloer Biller ubidden.
Niddereg Temperatur Polysilicium
TFT LCDkann a polykristallin Silizium (Poly-Si TFT) an amorph Silizium (a-Si TFT) opgedeelt ginn, den Ënnerscheed tëscht deenen zwee läit an de verschiddenen Transistorcharakteristiken. Elektronemobilitéit ass 200-300 Mol méi séier wéi déi vun amorphem Silizium.Allgemeng bekannt alsTFT-LCDbezitt sech op amorphem Silizium, reife Technologie, fir d'Mainstream LCD Produkter.De Polysilicium enthält haaptsächlech zwou Aarte vu Produkter: Héichtemperatur Polysilisium (HTPS) a Low Temperatur Polysilicon (LTPS).
Niddereg Temperatur Poly-Silicon; Niddereg Temperatur Poly-Silicon; LTPS (dënn Film Transistor Flëssegket Kristallsglas produzéiert Display) benotzt Excimer Laser als Hëtzt Quell am Verpakung Prozess. Generéiert a projizéiert op d'Glas Substrat vun amorphous Silicon Struktur.Nodeems de Glas Substrat vun amorphous Silicon Struktur absorbéiert d'Energie vun excimer Laser, gëtt et an eng polysilicon Struktur transforméiert ginn.Well de ganze Prozess um 600 ℃ fäerdeg ass, also den allgemengen Glas Substrat kann applizéiert ginn.
Ccharakteristesch
LTPS-TFT LCD huet d'Virdeeler vun héijer Opléisung, séier Reaktiounsgeschwindegkeet, héich Hellegkeet, héijer Ouvertureszäit, etc. Zousätzlech, well d'Silicon Kristallarrangement vunLTPS-TFT LCDass an Uerdnung wéi a-Si, d'Elektronen Mobilitéit ass méi wéi 100 Mol méi héich, an de periphere dreiwend Circuit kann op der Glas Substrat gläichzäiteg fabrizéiert ginn. Erreechen d'Zil vun der Systemintegratioun, Plaz spueren an IC Käschten féieren.
Zur selwechter Zäit, well de Chauffer IC Circuit direkt op der Panel produzéiert gëtt, kann et den externen Kontakt vun der Komponent reduzéieren, Zouverlässegkeet erhéijen, méi einfach Ënnerhalt, d'Versammlungsprozesszäit verkierzen an EMI Charakteristiken reduzéieren, an dann den Design vum Applikatiounssystem reduzéieren Zäit an d'Design Fräiheet expandéieren.
LTPS-TFT LCD ass déi héchst Technologie fir System op Panel z'erreechen, déi éischt Generatioun vunLTPS-TFT LCDBenotzen agebaute Chauffer Circuit an héich-Performance Bild Transistor héich Opléisung an héich Hellegkeet Effekt ze erreechen, huet LTPS-TFT LCD an A-Si e groussen Ënnerscheed gemaach.
Déi zweet Generatioun vun LTPS-TFT LCD duerch de Fortschrëtt vun Circuit Technologie, vun Analog Interface an digital Interface, reduzéieren Muecht Konsum. D'On-Carrier Mobilitéit vun dëser GeneratiounLTPS-TFT LCDass 100 Mol dat vun a-Si TFT, an d'Linn Breet vum Elektroden Muster ass ongeféier 4μm, wat net voll fir LTPS-TFT LCD benotzt gëtt.
LTPS-TFT LCDs si besser an Peripherie LSI integréiert wéi Generatioun 2. Den Zweck vun LTPS-TFT LCDs ass
1) hu keng Peripheriedeeler fir de Modul méi dënn a méi hell ze maachen, an d'Zuel vun den Deeler an d'Montagezäit ze reduzéieren; (2) Vereinfacht Signalveraarbechtung kann de Stroumverbrauch reduzéieren; (3) Equipéiert mat Erënnerung kann de Stroumverbrauch op e Minimum reduzéieren.
LTPS-TFT LCD gëtt erwaart eng nei Aart vu Display ze ginn wéinst senge Virdeeler vun héijer Opléisung, héijer Faarfsättigung an niddrege Käschten. mëttelgrouss Display Panelen.
Wéi och ëmmer, et ginn zwee Probleemer am p-Si TFT. Éischtens ass den Ausschaltstroum (dh Leckstroum) vun TFT grouss (Ioff = nuVdW/L); Zweetens ass et schwéier p-Si Material mat héijer Mobilitéit ze preparéieren an grousst Gebitt bei niddregen Temperaturen, an et gëtt eng gewësse Schwieregkeet am Prozess.
Et ass eng nei Generatioun vun Technologie ofgeleet ausTFT LCD. LTPS Schiirme ginn hiergestallt andeems e Laserprozess op konventionell amorphem Silizium (A-Si) TFT-LCD Panelen bäigefüügt gëtt, d'Zuel vun de Komponenten ëm 40 Prozent reduzéiert an Deeler ëm 95 Prozent verbënnt, wat d'Chance vum Produktausfall staark reduzéiert. Verbesserungen am Kraaftverbrauch an Haltbarkeet, mat 170 Grad vun horizontalen a vertikale Siichtwinkel, 12ms Äntwertzäit, 500 Nits Hellegkeet, an 500:1 Kontrastverhältnis.
Et ginn dräi Haapt Weeër fir niddereg Temperatur p-Si Treiber ze integréieren:
Déi éischt ass den Hybrid Integratiounsmodus vu Scannen an Dateschalter, dat heescht, de Linn Circuit ass zesumme integréiert, de Schalter a Verschiebungsregister sinn am Linn Circuit integréiert, an de Multiple Adresséierungs Chauffer an de Verstärker sinn extern mat dem Flachbildschierm ugeschloss. mat der ierflecher Circuit;
Zweetens, de ganze Fuere Circuit ass voll um Display integréiert;
Drëttens sinn d'Fuer- a Kontrollkreesser um Displaybildschierm integréiert.
Shenzhen DisenDisplay Technology Co., Ltd.ass eng High-Tech Entreprise, déi Fuerschung an Entwécklung, Design, Produktioun, Verkaf a Service integréiert. handheld terminals, Internet of Things terminals and smart home.We have rich R&D and manufacturing experience in tftLCD Écran, Industriell Displaybildschierm, Industriell Touchscreen, a voller Fit, a gehéieren zum industrielle Displayindustrie Leader.
Post Zäit: Mar-21-2023
